Кількість
|
Вартість
|
||
|
TA50N28T
Найменування приладу: IXTA50N28T
Тип транзистора: MOSFET
Полярність: N
Максимальна потужність, що розсіюється (Pd): 340
Гранично допустима напруга стік-витік (Uds): 280
Гранично допустима напруга затвор-витік (Ugs):
Максимально допустимий постійний струм стоку (Id): 50
Максимальна температура каналу (Tj):
Час наростання (tr): 180
Вихідна ємність (Cd), pf:
Опір стік-витік відкритого транзистора (Rds), Ом: 0.066
Тип корпусу: TO263