|
Кількість
|
Вартість
|
||
|
|
|||
Тип транзистора: MOSFET
Полярність: P
Максимальна потужність, що розсіюється (Pd): 52 W
Гранично допустима напруга стік-витік |Uds|: 30 V
Гранично допустима напруга затвор-витік |Ugs|: 25 V
Порогове напруга включення |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимий постійний струм стоку |Id|: 40 A
Максимальна температура каналу (Tj): 175 °C
Загальний заряд затвора (Qg): nC 17
Опір стік-витік відкритого транзистора (Rds): 0.02 Ohm