|
Кількість
|
Вартість
|
||
|
|
|||
Найменування приладу: IRF7807
Тип транзистора: MOSFET
Полярність: N
Максимальна потужність, що розсіюється (Pd): 2.5
Гранично допустима напруга стік-витік (Uds): 30
Гранично допустима напруга затвор-витік (Ugs): 4.5
Максимально допустимий постійний струм стоку (Id): 8.3
Максимальна температура каналу (Tj): 150
Час наростання (tr):
Вихідна ємність (Cd), pf:
Опір стік-витік відкритого транзистора (Rds), Ом: 0.025
Тип корпусу: SO8