|
Количество
|
Стоимость
|
||
|
|
|||
|
|
|||
Наименование прибора: AP18P10GH-HF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35.7 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 14 ns
Выходная емкость (Cd): 110 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.18 Ohm
Тип корпуса: TO252