Транзистор GT40QR21 1200V 40A TO3P

Наименование: GT40QR21
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: 40QR21
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 230
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 25
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 40
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.9
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 120
Тип корпуса: TO3P