|
Количество
|
Стоимость
|
||
|
|
|||
|
|
|||
Наименование прибора: 2SK2610
Маркировка: K2610
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 45 nC
Время нарастания (tr): 40 ns
Выходная емкость (Cd): 120 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.5 Ohm
Тип корпуса: TO3P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9 A
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.4 Ohm
Тип корпуса: TO3P