Транзистор YGW60N65F1 IGBT 650V 120A TO-247

YGW60N65F1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 306

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 120

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.3

Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175

Время нарастания типовое (tr), nS: 67.2

Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 82

Тип корпуса: TO-3PN