Транзистор JNG75T120LS igbt to-264

Наименование: JNG75T120LS

Тип транзистора: IGBT + Diode

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 520

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 30

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 150

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.95

Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5

Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150

Время нарастания типовое (tr), nS: 333

Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 334

Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 276

Тип корпуса: TO264