Транзистор JNG30N120HS2 igbt 45A 1200V TO-247

Наименование: JNG30N120HS2

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 220

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 30

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 45

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.2

Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150

Время нарастания типовое (tr), nS: 35

Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 210

Тип корпуса: TO247