|
Количество
|
Стоимость
|
||
|
|
|||
|
|
|||
Наименование прибора: NTMFS4C06N
Маркировка: 4C06N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.77 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 11.6 nC
Время нарастания (tr): 32 ns
Выходная емкость (Cd): 841 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.004 Ohm