Транзистор NTMFS4C10B 30V 8.2A so-8fl

Наименование производителя: NTMFS4C10N 📄📄 

Маркировка: 4C10N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 9.7 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 574 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00695 Ohm

Тип корпуса: SO-8FL