|
Количество
|
Стоимость
|
||
|
|
|||
|
|
|||
Наименование: STGW60H65DFB
Тип транзистора: IGBT
Маркировка: GW60H65DFB
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 375
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 60
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.75
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 38
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 262
Тип корпуса: TO247