Модуль IGBT CM150DY-12H

Наименование: CM150DY-12H

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 600

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 150

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.1

Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7.5

Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150

Время нарастания типовое (tr), nS: 550

Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 5300

Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 450

Тип корпуса: MODULE