Транзистор JNG60T60HS TO-247

 Наименование: JNG60T60HS
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 329
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 30
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 110
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.05
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 343
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 188
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 107.4
Тип корпуса: TO247