Транзистор FDA59N30 TO-3PN (Rds): 0.056 Ohm

Наименование прибора: FDA59N30
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 500 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 300 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 59 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 77 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.056 Ohm
Тип корпуса: TO3PN