|
Количество
|
Стоимость
|
||
|
|
|||
|
|
|||
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 115
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs):
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 90
Максимальная температура канала (Tj):
Время нарастания (tr):
Выходная емкость (Cd), pf:
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds), Ohm: 0.0043
Тип корпуса: PGTO252