Транзистор 2N5551

2N5551 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6

Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 135

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100

Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ: 6

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80

Корпус транзистора: TO92