|
Количество
|
Стоимость
|
||
|
|
|||
|
|
|||
IXTP170N075T2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 360 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 75 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 170 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Время нарастания (tr): 63 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0054 Ohm
Тип корпуса: TO220