|
Количество
|
Стоимость
|
||
|
|
|||
|
|
|||
STP100N8F6
P100N8F6
Маркировка: 100N8F6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 176 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 80 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 100 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 100 nC
Время нарастания (tr): 46 ns
Выходная емкость (Cd): 244 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.009 Ohm
Тип корпуса: TO-220