Транзистор FDD1600N10ALZ, MOSFET N-CH 100V 6.8A to-252

В наличии

Артикул: ДК-215

21.9 грн

Войти для отображения накопительной скидки

Описание

Наименование прибора: FDD1600N10ALZ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 14.9 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.8 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.8 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.16 Ohm

Тип корпуса: TO252