|
Количество
|
Стоимость
|
||
|
|
|||
|
|
|||
Маркировка: 4N04R8
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 429 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 300 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 221 nC
Время нарастания (tr): 22 ns
Выходная емкость (Cd): 3790 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.00077 Ohm
Тип корпуса: H-PSOF-8-1