|
Количество
|
Стоимость
|
||
|
|
|||
|
|
|||
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 10.5 nC
Время нарастания (tr): 17 ns
Выходная емкость (Cd): 10 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.22 Ohm
Тип корпуса: DPAK