|
Количество
|
Стоимость
|
||
|
|
|||
|
|
|||
Наименование прибора: IRFP32N50K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 460 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 190 nC
trⓘ - Время нарастания: 120 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
Тип корпуса: TO247AC