Транзистор STGB19NC60KD 600V 35A T0-263

 Наименование: STGB19NC60KD
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: GB19NC60KD
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 35 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 8 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 127 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 55 nC
Тип корпуса: D2PAK

STGB19NC60KD