Транзистор GT60J323 Toshiba 60A 600V

GT60J323

 Наименование: GT60J323
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 400 nC
Тип корпуса: TO3P