Транзистор NTMFS4C10NT1G QFN-8

4C10N NTMFS4C10N NTMFS4C10NT1G QFN-8 Chip

Наименование прибора: NTMFS4C10N

Маркировка: 4C10N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.75 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.2 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8.2 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 9.7 nC

Время нарастания (tr): 34 ns

Выходная емкость (Cd): 574 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.00695 Ohm

Тип корпуса: SO-8FL