|
Количество
|
Стоимость
|
||
|
|
|||
|
|
|||
Наименование прибора: AON6512
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 150 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 53 nC
Время нарастания (tr): 5 ns
Выходная емкость (Cd): 1327 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0017 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6