|
Количество
|
Стоимость
|
||
|
|
|||
|
|
|||
Наименование производителя: HY5110W
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 316 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 356 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1558 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm