Транзистор YGW75N65F1 IGBT 650V 150A TO-247

Наименование: YGW75N65F1 📄📄 

Тип транзистора: IGBT + Diode

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.2 V

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 200 pF

Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 260 nC

Тип корпуса: TO247