|
Количество
|
Стоимость
|
||
|
|
|||
|
|
|||
Наименование производителя: HYG065N15 📄📄
Маркировка: HYG065N15
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 165 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 96 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 116.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 888 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
V|Vgs(th)|ⓘ - Maximum Gate-Threshold Voltage: 3 V
|Id|ⓘ - Maximum Drain Current: 160 A
Tjⓘ - Maximum Junction Temperature: 175 °C
Qgⓘ - Total Gate Charge: 58.3 nC
trⓘ - Rise Time: 34 nS
Cossⓘ - Output Capacitance: 1310 pF
Rdsⓘ - Maximum Drain-Source On-State Resistance: 0.0032 Ohm
Package: TO220