|
Количество
|
Стоимость
|
||
|
|
|||
|
|
|||
IRG7PSH73K10
Ключевые технические характеристики
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (\(V_{CES}\)): 1200 В
- Номинальный ток (\(I_{Nominal}\)): 75 А
- Максимальный непрерывный ток коллектора (\(I_{C}\)): 220 А (при \(T_C = 25^\circ C\)) / 130 А (при \(T_C = 100^\circ C\))
- Импульсный ток коллектора (\(I_{CM}\)): 225 А
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (\(V_{CE(on)}\), тип.): 2.0 В
- Максимальная рассеиваемая мощность (\(P_{D}\)): 1150 Вт (при \(T_C = 25^\circ C\))
- Время стойкости к короткому замыканию (\(t_{SC}\)): не менее 10 мкс
- Диапазон рабочих температур (\(T_{J}\)): от -55 до +175 °C
- Тип корпуса: Super-247 (также известный как TO-274AA). [1, 2]
Главные особенности
- Высокая надежность: транзистор имеет квадратную область безопасной работы при обратном смещении (RBSOA) и гарантированно выдерживает КЗ в течение 10 мкс.
- Легкое запараллеливание: положительный температурный коэффициент напряжения насыщения (\(V_{CE(on)}\)) позволяет безопасно объединять несколько транзисторов параллельно для работы на общую нагрузку.
- Низкие потери: сочетание технологии Trench и тонких пластин минимизирует как потери на проводимость, так и потери при переключении. [1, 2]