|
Кількість
|
Вартість
|
||
|
|
|||
|
|
|||
IPD06N03LA
Маркування: 06N03LA
Тип транзистора: MOSFET
Полярність: N
Максимальна потужність, що розсіюється (Pd): 83 W
Гранично допустима напруга стік-витік (Uds): 25 V
Гранично допустима напруга затвор-витік (Ugs): 20 V
Порогове напруга включення Ugs(th): 2 V
Максимально допустимий постійний струм стоку (Id): 50 A
Максимальна температура каналу (Tj): 175 °C
Час наростання (tr): 7.2 ns
Вихідна ємність (Cd): 800 pf
Опір стік-витік відкритого транзистора (Rds): 0.005 Ohm
Тип корпусу: TO252