|
Кількість
|
Вартість
|
||
|
|
|||
|
|
|||
FQD12P10 TO-252
Тип транзистора: MOSFET
Полярність: P
Максимальна потужність, що розсіюється (Pd): 50
Гранично допустима напруга стік-витік (Uds): 100
Гранично допустима напруга затвор-витік (Ugs): 30
Максимально допустимий постійний струм стоку (Id): 9.4
Максимальна температура каналу (Tj): 150
Час наростання (tr): 330
Вихідна ємність (Cd), pf: 290
Опір стік-витік відкритого транзистора (Rds), Ом: 0.29
Тип корпусу: TO252