|
Кількість
|
Вартість
|
||
|
|
|||
|
|
|||
Наименование прибора: IRFB52N15D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 320 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 60 A
Общий заряд затвора (Qg): 60 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.032 Ohm
Тип корпуса: TO220AB