|
Кількість
|
Вартість
|
||
|
|
|||
|
|
|||
Найменування приладу: IRFR024N
Тип транзистора: MOSFET
Полярність: N
Максимальна потужність, що розсіюється (Pd): 45 W
Гранично допустима напруга стік-витік |Uds|: 55 V
Гранично допустима напруга затвор-витік |Ugs|: 20 V
Порогове напруга включення |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимий постійний струм стоку |Id|: 17 A
Максимальна температура каналу (Tj): 175 °C
Загальний заряд затвора (Qg): 20(max) nC
Час наростання (tr): ns 34
Вихідна ємність (Cd): 140 pf
Опір стік-витік відкритого транзистора (Rds): 0.075 Ohm
Тип корпусу: TO252