|
Кількість
|
Вартість
|
||
|
|
|||
|
|
|||
Найменування приладу: IRFR014
Тип транзистора: MOSFET
Полярність: N
Максимальна потужність, що розсіюється (Pd): 25 W
Гранично допустима напруга стік-витік |Uds|: 60 V
Гранично допустима напруга затвор-витік |Ugs|: 20 V
Порогове напруга включення |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимий постійний струм стоку |Id|: 7.7 A
Максимальна температура каналу (Tj): 150 °C
Загальний заряд затвора (Qg): 11(max) nC
Час наростання (tr): 50 ns
Вихідна ємність (Cd): 160 pf
Опір стік-витік відкритого транзистора (Rds): 0.2 Ом
Тип корпусу: TO252