|
Кількість
|
Вартість
|
||
|
|
|||
|
|
|||
Наименование прибора: CEP50N10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 136 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Время нарастания (tr): 19 ns
Выходная емкость (Cd): 300 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.03 Ohm
Тип корпуса: TO220